Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Re... - 9789401041515

Znaczące prace eksperymentalne poświęcone są przygotowaniu jedno- i zerowymiarowych struktur półprzewodnikowych z myślą o przyszłych urządzeniach elektronicznych i optycznych wykorzystujących efekty kwantowe. Celem jest dobra kontrola w realizacji struktur nanometrowych zarówno w kierunku pionowym, jak i bocznym. Konwencjonalne techniki przetwarzania oparte na litografii napotykają nieodłączne problemy, takie jak ograniczona rozdzielczość i defekty powierzchni spowodowane reaktywnym trawieniem jonowym. W ciągu ostatnich kilku lat kilka grup badawczych rozpoczęło prace nad bezpośrednią syntezą nanostruktur półprzewodnikowych, łącząc techniki wzrostu epitaksjalnego, takie jak epitaksja z wiązek molekularnych i chemiczne osadzanie z fazy gazowej, ze wstępnym modelowaniem płytek podłoża. Inny pomysł opiera się na tworzeniu wysp w heteroepitaksji warstw naprężonych. W ten sposób realizowano struktury zerowe i jednowymiarowe o wymiarach sięgających kilku odległości atomowych. Ważnym punktem jest to, że wielkość struktur kwantowych jest kontrolowana w procesie osadzania epitaksjalnego w procesie samoregulacji. Głównymi tematami książki są: Teoretyczne aspekty wzrostu epitaksjalnego, samoorganizujące się nanostruktury i tworzenie klastrów, wzrost epitaksjalny na powierzchniach nachylonych i innych niż (001), przerost rozciętych krawędzi, wzrost nanostruktur na wzorzystych podłożach krzemowych, nanostruktury przygotowane metodą epitaksji selektywnej lub wzrost na wzorzystych podłożach, trawienie in-situ i zastosowania urządzeń oparte na odrastaniu epitaksjalnym na wzorzystych podłożach. Prace eksperymentalne koncentrowały się głównie na heterostrukturach półprzewodnikowych opartych na GaAs/A1GaAs, GaAs/InGaAs, InGaP/InP i Si/SiGe. Szczególną uwagę poświęcono problemom związanym ze wzrostem. Przedstawiono różne koncepcje przygotowania struktur niskowymiarowych, aby umożliwić bezpośrednie porównanie i zidentyfikowanie nowych koncepcji na potrzeby przyszłych prac badawczych.