Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Re... - 9789401041515

Nozīmīgs eksperimentāls darbs ir veltīts vienas un nulles dimensijas pusvadītāju konstrukciju sagatavošanai, ņemot vērā nākotnes elektroniskās un optiskās ierīces, kas ietver kvantu efektus. Mērķis ir laba kontrole nanometru konstrukciju realizācijā gan vertikālā, gan sānu virzienā. Tradicionālās apstrādes metodes, kuru pamatā ir litogrāfija, saskaras ar raksturīgām problēmām, piemēram, ierobežotu izšķirtspēju un virsmas defektiem, ko izraisa reaktīvā jonu kodināšana. Dažu pēdējo gadu laikā vairākas pētniecības grupas sāka strādāt pie pusvadītāju nanostruktūru tiešas sintēzes, apvienojot epitaksiskās augšanas metodes, piemēram, molekulārā stara epitaksiju un ķīmisko tvaiku pārklāšanu ar substrāta plāksnīšu iepriekšēju rakstīšanu. Vēl viena ideja ir balstīta uz salu veidošanos sasprindzinātā slāņa heteroepitaksijā. Tādā veidā ir realizētas nulles un vienas dimensijas struktūras ar izmēriem līdz dažiem atomu attālumiem. Svarīgs punkts ir tas, ka kvantu struktūru lielums tiek kontrolēts epitaksiālās nogulsnēšanās laikā pašregulējošā procesā. Grāmatas galvenie temati ir: Epitaksiālās augšanas teorētiskie aspekti, pašsavienojošās nanostruktūras un klasteru veidošanās, epitaksiālā augšana slīpās un ne--(001) virsmās, šķelto malu aizaugšana, nanostruktūru augšana uz rakstainiem silīcija substrātiem, nanostruktūras, kas sagatavotas ar selektīvās zonas epitaksiju vai augšana uz rakstainiem substrātiem, in situ kodināšana un ierīču lietojumi, kuru pamatā ir epitaksiāla ataugšana uz rakstainiem substrātiem. Eksperimentālais darbs galvenokārt koncentrējās uz GaAs/A1GaAs, GaAs/InGaAs, InGaP/InP un Si/SiGe balstītām pusvadītāju heterostruktūrām. Īpaša uzmanība tika pievērsta problēmām, kas saistītas ar izaugsmi. Tiek prezentētas dažādas zemu izmēru konstrukciju sagatavošanas koncepcijas, lai varētu tieši salīdzināt un identificēt jaunas koncepcijas turpmākajam pētniecības darbam.