Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Re... - 9789401041515

Märkimisväärne eksperimentaalne töö on pühendatud ühe- ja nullmõõtmeliste pooljuhtstruktuuride ettevalmistamisele, pidades silmas tulevasi kvantefekte sisaldavaid elektroonilisi ja optilisi seadmeid. Eesmärk on hea kontroll nanomeetriliste struktuuride realiseerimisel nii vertikaal- kui ka külgsuunas. Tavalised litograafial põhinevad töötlemismeetodid seisavad silmitsi omaste probleemidega, nagu piiratud eraldusvõime ja reaktiivse ioonide söövitamise põhjustatud pinnadefektid. Viimastel aastatel hakkasid mitmed uurimisrühmad töötama pooljuhtide nanostruktuuride otsese sünteesi kallal, kombineerides epitaksiaalseid kasvutehnikaid, nagu molekulaarkiirepitaksia ja keemiline aurustamine-sadestamine substraadiplaatide eelmustriga. Teine idee põhineb saare moodustumisel pingelise kihi heteroepitaksias. Sel viisil on realiseeritud null- ja ühemõõtmelised struktuurid, mille mõõtmed on kuni mõne aatomi kaugusel. Oluline punkt on see, et kvantstruktuuride suurust kontrollitakse isereguleeruvas protsessis epitaksiaalse sadestumise käigus. Raamatu põhiteemad on: Epitaksiaalse kasvu teoreetilised aspektid, isekoosnevad nanostruktuurid ja klastrite moodustumine, epitaksiaalne kasv kallutatud ja mitte-(001) pindadel, lõhustatud servade ülekasv, nanostruktuuride kasv mustrilistel ränisubstraatidel, selektiivse ala epitaksiga valmistatud nanostruktuurid või kasv mustriga substraatidel, in situ söövitus ja seadmerakendused, mis põhinevad epitaksiaalsel taaskasvamisel mustrilistel substraatidel. Eksperimentaalne töö keskendus peamiselt GaAs/A1GaAs, GaAs/InGaAs, InGaP/InP ja Si/SiGe põhinevatele pooljuhtide heterostruktuuridele. Erilist tähelepanu pälvisid kasvuga seotud probleemid. Madalamõõtmeliste struktuuride valmistamise erinevad kontseptsioonid on esitatud, et võimaldada otsest võrdlust ja leida uusi kontseptsioone tulevaseks uurimistööks.