Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Re... - 9789401041515

Didelis eksperimentinis darbas skirtas vienmačių ir nulinių puslaidininkinių konstrukcijų paruošimui, atsižvelgiant į ateities elektroninius ir optinius įrenginius, kurie apima kvantinius efektus. Tikslas – gera nanometrinių konstrukcijų realizavimo kontrolė tiek vertikalia, tiek šonine kryptimi. Įprasti apdorojimo metodai, pagrįsti litografija, susiduria su būdingomis problemomis, tokiomis kaip ribota skiriamoji geba ir paviršiaus defektai, atsirandantys dėl reaktyvaus jonų ėsdinimo. Per pastaruosius kelerius metus kelios tyrimų grupės pradėjo dirbti ties puslaidininkinių nanostruktūrų tiesiogine sinteze, derindamos epitaksinio augimo metodus, tokius kaip molekulinio pluošto epitaksija ir cheminis garų nusodinimas su išankstiniu substrato plokštelių modeliavimu. Kita idėja pagrįsta salų formavimu įtempto sluoksnio heteroepitaksijoje. Tokiu būdu buvo realizuojamos nulinės ir vienos dimensijos struktūros, kurių matmenys yra iki kelių atominių atstumų. Svarbus dalykas yra tai, kad kvantinių struktūrų dydis yra kontroliuojamas epitaksinio nusėdimo metu savaime reguliuojančio proceso metu. Pagrindinės knygos temos yra: Epitaksinio augimo teoriniai aspektai, savaime besijungiančios nanostruktūros ir klasterių formavimasis, epitaksinis augimas pasvirusiuose ir ne-(001) paviršiuose, suskilusių kraštų užaugimas, nanostruktūrų augimas ant raštuotų silicio substratų, nanostruktūros, paruoštos selektyvios srities epitaksijos būdu arba augimas ant raštuotų substratų, in situ ėsdinimas ir prietaisų taikymas, pagrįstas epitaksiniu ataugimu ant raštuotų substratų. Eksperimentinis darbas daugiausia buvo sutelktas į GaAs/A1GaAs, GaAs/InGaAs, InGaP/InP ir Si/SiGe pagrįstas puslaidininkių heterostruktūras. Ypatingas dėmesys buvo skiriamas augimo problemoms. Pateikiamos skirtingos mažų matmenų konstrukcijų paruošimo koncepcijos, leidžiančios tiesiogiai palyginti ir nustatyti naujas ateities tiriamojo darbo koncepcijas.