Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale - 9789401049009

Zaawansowane warsztaty badawcze dotyczące właściwości fizycznych interfejsów półprzewodnikowych w skali subnanometrowej odbyły się w dniach 31 sierpnia - 2 września 1992 r. w Riva del Garda. Włochy. Celem warsztatów było zgromadzenie ekspertów zajmujących się różnymi aspektami badań interfejsów półprzewodnikowych oraz urządzeń małej skali, w których właściwości interfejsu mogą być bardzo istotne. Naszym celem było, aby pomogło to w ukierunkowaniu badań nad wzrostem i charakterystyką półprzewodników interfejsów w skali atomowej w kwestiach, które będą miały największy wpływ na urządzenia przyszłości. Około 30 uczestników z przemysłowych i akademickich instytutów badawczych oraz z 11 krajów wzięło udział w warsztatach, przedstawiając artykuły na temat swojej najnowszej branży. . „Po każdym przemówieniu był wystarczająco dużo czasu na dyskusję. oraz podsumowanie dyskusji na zakończenie spotkania. Poniżej opisano główne tematy spotkania. Spotkanie obejmowało kilka rozmów dotyczących różnych technik wzrostu stosowanych w heteroepitaksjalnym wzroście półprzewodników. Horikoshi omówił procesy atomistyczne związane z MBE, MEE i MOCVD, prezentując wyniki eksperymentalnych pomiarów RHEED i fotoluminescencji, Foxon porównał zalety wzrostu MBE, MOCVD i eBE, Molder opisał badania RHEED dotyczące wzrostu Si/Ge przeprowadzone przez GSMBE, a Pashley omówił rola rekonstrukcji powierzchni we wzroście MBE, jak wynika z badań STM na GaAs. Od strony teoretycznej Wwiedenski opisał kilka różnych metod modelowania wzrostu: dynamikę molekularną, techniki Monte Carlo i modelowanie analityczne.