Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale - 9789401049009

31. augustist 2. septembrini 1992 Riva del Gardas peeti 31. augustist 2. septembrini 1992 alamnanomeetri skaalal pooljuhtide liideste füüsikaliste omaduste täiustatud uurimistöö seminar. Itaalia. Töötoa eesmärk oli tuua kokku eksperdid pooljuhtide liideste uurimise erinevatest aspektidest ja väikesemahulistes seadmetes, kus liidese omadused võivad olla väga olulised. Meie eesmärk oli, et see aitaks keskenduda pooljuhtide kasvu ja iseloomustamise uurimisele. liidesed aatomiskaalal küsimustes, millel on suurim mõju tuleviku seadmetele. Umbes 30 osalejat tööstus- ja akadeemilistest uurimisinstituutidest ning 11 riigist aitasid seminaril oma hiljutist tööd käsitlevate dokumentidega. . „Pärast iga kõnet oli piisavalt aega aruteluks. samuti kokkuvõtlik arutelu koosoleku lõpus. Kohtumise peamisi teemasid kirjeldatakse allpool. Kohtumine hõlmas mitmeid kõnelusi pooljuhtide heteroepitaksiaalses kasvus kasutatavate erinevate kasvutehnikate kohta. Horikoshi arutas MBE, MEE ja MOCVD-ga seotud atomistlikke protsesse, esitades eksperimentaalsete RHEED-i ja fotoluminestsentsi mõõtmiste tulemusi, Foxon võrdles MBE, MOCVD ja eBE kasvu eeliseid, Molder kirjeldas RHEED-uuringuid Si/Ge kasvu kohta GSMBE poolt ja Pashley arutas. pinnarekonstruktsioonide roll MBE kasvus, nagu on näha GaAs-i STM-uuringutest. Teoreetilise poole pealt kirjeldas Vvedensky mitmeid erinevaid meetodeid kasvu modelleerimiseks: molekulaarne dünaamika, Monte Carlo tehnikad ja analüütiline modelleerimine.