Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale - 9789401049009

Uzlaboto pētījumu seminārs par pusvadītāju saskarņu fiziskajām īpašībām subnanometru skalā notika no 1992. gada 31. augusta līdz 2. septembrim Riva del Gardā. Itālija. Semināra mērķis bija pulcēt ekspertus dažādos pusvadītāju saskarņu izpētes aspektos un maza mēroga ierīcēs, kur saskarnes īpašības var būt ļoti nozīmīgas. Mūsu mērķis bija, lai tas palīdzētu fokusēt pusvadītāju augšanas un raksturošanas pētījumus. saskarnes atomu mērogā par jautājumiem, kuriem būs vislielākā ietekme uz nākotnes ierīcēm. Apmēram 30 dalībnieki no rūpnieciskajiem un akadēmiskajiem pētniecības institūtiem un 11 valstīm piedalījās seminārā ar dokumentiem par savu neseno darbu. . “Pēc katras sarunas bija pietiekami daudz laika diskusijām. kā arī kopsavilkuma diskusija sanāksmes noslēgumā. Galvenās sanāksmes tēmas ir aprakstītas zemāk. Sanāksmē notika vairākas sarunas par dažādām augšanas metodēm, ko izmanto pusvadītāju heteroepitaksiālajā augšanā. Horikoshi apsprieda atomu procesus, kas saistīti ar MBE, MEE un MOCVD, prezentējot eksperimentālo RHEED un fotoluminiscences mērījumu rezultātus, Foksons salīdzināja MBE, MOCVD un eBE augšanas priekšrocības, Molders aprakstīja RHEED pētījumus par Si/Ge augšanu, izmantojot GSMBE, un Pašlijs apsprieda. virsmas rekonstrukciju loma MBE izaugsmē, kā redzams no STM pētījumiem par GaAs. No teorētiskās puses Vvedenskis aprakstīja vairākas dažādas izaugsmes modelēšanas metodes: molekulāro dinamiku, Montekarlo metodes un analītisko modelēšanu.