Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale - 9789401049009

1992 m. rugpjūčio 31–rugsėjo 2 d. Riva del Gardoje vyko pažangių tyrimų seminaras apie puslaidininkių sąsajų fizines savybes subnanometrų skalėje. Italija. Seminaro tikslas buvo suburti įvairių puslaidininkių sąsajų tyrimo aspektų ekspertus ir mažos apimties įrenginius, kurių sąsajos savybės gali būti labai reikšmingos. Mūsų tikslas buvo, kad tai padėtų sutelkti puslaidininkių augimo ir charakterizavimo tyrimus. sąsajas atominiu mastu sprendžiant problemas, kurios turės didžiausią įtaką ateities įrenginiams. Maždaug 30 dalyvių iš pramonės ir akademinių tyrimų institutų ir iš 11 šalių prisidėjo prie seminaro su dokumentais apie savo pastarojo meto veiklą. . „Po kiekvieno pokalbio buvo pakankamai laiko diskusijoms. taip pat apibendrinta diskusija susitikimo pabaigoje. Pagrindinės susitikimo temos aprašytos toliau. Susitikime buvo keletas pokalbių, susijusių su skirtingais augimo metodais, naudojamais puslaidininkių heteroepitaksiniame augime. Horikoshi aptarė atominius procesus, susijusius su MBE, MEE ir MOCVD, pateikdamas eksperimentinių RHEED ir fotoliuminescencijos matavimų rezultatus, Foxon palygino MBE, MOCVD ir eBE augimo privalumus, Molder aprašė GSMBE atliekamus Si/Ge augimo RHEED tyrimus, o Pashley aptarė. paviršiaus rekonstrukcijų vaidmuo MBE augime, kaip matyti iš STM tyrimų dėl GaAs. Kalbant apie teorinę pusę, Vvedenskis aprašė kelis skirtingus augimo modeliavimo metodus: molekulinę dinamiką, Monte Karlo metodus ir analitinį modeliavimą.