Semiconductor X-Ray Detectors - 9781466554009

Identyfikacja i pomiar pierwiastkowego promieniowania rentgenowskiego uwalnianego podczas badania materiałów za pomocą cząstek (elektronów, protonów, cząstek alfa itp.) lub fotonów (promieni rentgenowskich i promieni gamma) jest nadal uważana za podstawową technikę analityczną do rutynowych i nie- analiza materiałów niszczących. Detektor promieni rentgenowskich z dryftem krzemu litowego (Si(Li)) charakteryzujący się dobrą rozdzielczością i wartością szczytową do tła był pionierem tego typu analiz przy użyciu mikroskopów elektronowych, przyrządów do fluorescencji rentgenowskiej oraz systemów wzbudzenia opartych na źródłach promieniotwórczych i akceleratorach. Chociaż szybki postęp w dziedzinie detektorów dryfu krzemu (SDD), urządzeń ze sprzężeniem ładunkowym (CCD) i złożonych detektorów półprzewodnikowych, w tym ponowne zainteresowanie materiałami alternatywnymi, takimi jak CdZnTe i diament, sprawił, że detektor promieni rentgenowskich Si(Li) stał się prawie przestarzały, Urządzenie służy jako użyteczny punkt odniesienia i nadal jest używane w szczególnych przypadkach, gdy istotna jest jego duża i czuła głębokość. Półprzewodnikowe detektory rentgenowskie skupiają się na historii i rozwoju detektorów rentgenowskich Si(Li), co stanowi ważne uzupełnienie wiedzy wymaganej obecnie do pełnego zrozumienia działania SDD, CCD i złożonych detektorów półprzewodnikowych. Książka zawiera aktualny przegląd zasad, zastosowań praktycznych i stanu wiedzy na temat półprzewodnikowych detektorów rentgenowskich. Opisuje wiele aspektów wykrywania i pomiaru promieni rentgenowskich przy użyciu półprzewodników, od produkcji po wdrożenie. Początkowe rozdziały stanowią samodzielne podsumowanie odpowiednich podstaw fizyki, inżynierii materiałowej i aspektów inżynieryjnych. W późniejszych rozdziałach porównuje się montaż i właściwości fizyczne obecnie stosowanych systemów i materiałów, umożliwiając czytelnikom pełne zrozumienie materiałów i zakresu zastosowań.