Semiconductor X-Ray Detectors - 9781466554009

Elementāro rentgenstaru identificēšana un mērīšana, kas izdalās, pārbaudot materiālus ar daļiņām (elektroniem, protoniem, alfa daļiņām utt.) vai fotoniem (rentgena stariem un gamma stariem), joprojām tiek uzskatīta par primāro analītisko paņēmienu ikdienas un nesaistītiem nolūkiem. destruktīvu materiālu analīze. Litija dreifēta silīcija (Si(Li)) rentgenstaru detektors ar savu labo izšķirtspēju un maksimumu uz fonu bija aizsācējs šāda veida analīzei elektronu mikroskopos, rentgena fluorescences instrumentos un uz radioaktīvo avotu un paātrinātāju balstītās ierosmes sistēmās. Lai gan straujais progress silīcija novirzes detektoru (SDD), uzlādes savienojumu ierīču (CCD) un salikto pusvadītāju detektoru jomā, tostarp atjaunotā interese par alternatīviem materiāliem, piemēram, CdZnTe un dimantu, ir padarījis Si(Li) rentgenstaru detektoru gandrīz novecojušu, ierīce kalpo kā noderīgs etalons un joprojām tiek izmantots īpašos gadījumos, kad tās lielais, jutīgais dziļums ir būtisks. Pusvadītāju rentgenstaru detektori koncentrējas uz Si(Li) rentgenstaru detektoru vēsturi un attīstību, kas ir svarīgs papildinājums zināšanām, kas tagad ir nepieciešamas, lai iegūtu pilnīgu izpratni par SDD, CCD un salikto pusvadītāju detektoru darbību. Grāmata sniedz jaunāko pārskatu par pusvadītāju rentgena detektoru principiem, praktisko pielietojumu un jaunākajiem sasniegumiem. Tajā ir aprakstīti daudzi rentgenstaru noteikšanas un mērīšanas aspekti, izmantojot pusvadītājus, no ražošanas līdz ieviešanai. Sākotnējās nodaļās ir sniegts pašpietiekams kopsavilkums par attiecīgajiem fona fizikas, materiālu zinātnes un inženierijas aspektiem. Nākamajās nodaļās tiek salīdzinātas un pretstatītas pašlaik izmantoto sistēmu un materiālu montāžas un fizikālās īpašības, ļaujot lasītājiem pilnībā izprast materiālus un pielietojuma iespējas.