Polycrystalline Silicon for Integrated Circuits and Displays - 9780792382249

See uuring tutvustab teadmisi polüräni kohta. See kujutab endast püüdlust seostada polüräni sadestumist, omadusi ja rakendusi. Mõistes õigesti polükristallilise räni omadusi ja nende seost sadestustingimustega, saab polüräni kujundada nii, et see tagab seadme ja integreeritud vooluahela optimaalse jõudluse. Polükristalliline räni on integraallülituste tehnoloogias mänginud olulist rolli juba kaks aastakümmet. Esmakordselt kasutati seda isejoonduvates ränivärava MOS IC-des, et vähendada mahtuvust ja parandada vooluahela kiirust. Lisaks sellele domineerivale kasutusviisile sisaldub polüräni nüüd ka praktiliselt kõigis kaasaegsetes bipolaarsetes IC-des, kus see parandab seadme töö põhifüüsikat. Polükristallilise räni ühilduvus järgneva kõrgtemperatuurilise töötlemisega võimaldab selle tõhusalt integreerida täiustatud IC-protsessidesse. See ühilduvus võimaldab polüräni kasutada ka kraavi eraldamiseks ja dünaamilise juhusliku juurdepääsuga mälu (DRAM) salvestuskondensaatorite valmistamise protsessi alguses. Lisaks integreeritud vooluahela rakendustele on polüräni muutumas oluliseks aktiivse kihina õhukese kilega transistoride kanalis amorfse räni asemel. Kui täiustatud aktiivmaatrikskuvarites kasutatakse polüräni õhukese kilega transistore, saab perifeerse vooluringi integreerida samasse substraadisse kui pikslitransistorid. Viimasel ajal on polüräni kasutatud arenevas mikroelektromehaaniliste süsteemide (MEMS) valdkonnas, eriti mikrosensorite ja mikroajamite jaoks. Nendes seadmetes on mehaanilised omadused, eriti polüränikile pinged, kriitilise tähtsusega seadme edukaks valmistamiseks. Tekst peaks olema väärtuslik viide professionaalidele ja tehnikutele, kes töötavad polükristallilise räniga integraallülituste ja kuvarite tööstuses.