Polycrystalline Silicon for Integrated Circuits and Displays - 9780792382249

Šiame tyrime pateikiamos žinios apie polisilicį. Tai yra pastangos susieti polisilicio nusodinimą, savybes ir pritaikymą. Tinkamai supratus polikristalinio silicio savybes ir jų ryšį su nusodinimo sąlygomis, polisilicis gali būti sukurtas taip, kad būtų užtikrintas optimalus įrenginio ir integruotos grandinės veikimas. Polikristalinis silicis du dešimtmečius vaidino svarbų vaidmenį integruotų grandinių technologijoje. Jis pirmą kartą buvo naudojamas savaime išlygintuose, silicio vartų, MOS IC, siekiant sumažinti talpą ir pagerinti grandinės greitį. Be šio dominuojančio naudojimo, polisilicis dabar taip pat įtrauktas į beveik visus šiuolaikinius bipolinius IC, kur jis pagerina pagrindinę įrenginio veikimo fiziką. Polikristalinio silicio suderinamumas su vėlesniu apdorojimu aukštoje temperatūroje leidžia efektyviai integruoti jį į pažangius IC procesus. Dėl šio suderinamumo polisilicis taip pat gali būti naudojamas ankstyvame gamybos proceso etape tranšėjos izoliavimui ir dinaminės atsitiktinės prieigos (DRAM) atminties kondensatoriams. Be integruotų grandinių, polisilicis tampa gyvybiškai svarbus kaip aktyvus sluoksnis plonasluoksnių tranzistorių kanale vietoj amorfinio silicio. Kai pažangiuose aktyviosios matricos ekranuose naudojami polisilicio plonasluoksniai tranzistoriai, periferinė grandinė gali būti integruota į tą patį pagrindą kaip ir pikselių tranzistoriai. Pastaruoju metu polisilicis buvo naudojamas naujoje mikroelektromechaninių sistemų (MEMS) srityje, ypač mikrojutikliuose ir mikropavarose. Šiuose įrenginiuose mechaninės savybės, ypač polisilicio plėvelės įtempis, yra labai svarbios sėkmingam prietaiso gamybai. Tekstas turėtų būti vertinga nuoroda profesionalams ir technikai, dirbantiems su polikristaliniu siliciu integrinių grandynų ir ekranų pramonėje.