Polycrystalline Silicon for Integrated Circuits and Displays - 9780792382249

Šis pētījums sniedz zināšanas par polisilīciju. Tas atspoguļo centienus savstarpēji saistīt polisilīcija nogulsnēšanos, īpašības un lietojumus. Pareizi izprotot polikristāliskā silīcija īpašības un to saistību ar nogulsnēšanas apstākļiem, polisilīciju var izstrādāt tā, lai nodrošinātu optimālu ierīces un integrētās shēmas veiktspēju. Polikristāliskam silīcijam ir bijusi svarīga loma integrēto shēmu tehnoloģijā jau divus gadu desmitus. Pirmo reizi to izmantoja pašizlīdzinātos, silīcija vārtu MOS IC, lai samazinātu kapacitāti un uzlabotu ķēdes ātrumu. Papildus šim dominējošajam lietojumam polisilīcijs tagad ir iekļauts arī praktiski visos modernajos bipolārajos IC, kur tas uzlabo ierīces darbības pamata fiziku. Polikristāliskā silīcija savietojamība ar sekojošu augstas temperatūras apstrādi ļauj to efektīvi integrēt progresīvos IC procesos. Šī saderība arī ļauj polisilīciju izmantot ražošanas procesa sākumā tranšejas izolēšanai un dinamiskās brīvpiekļuves atmiņas (DRAM) uzglabāšanas kondensatoriem. Papildus integrētajām shēmām polisilīcijs kļūst vitāli svarīgs kā aktīvais slānis plānslāņa tranzistoru kanālā amorfā silīcija vietā. Ja polisilīcija plānslāņa tranzistori tiek izmantoti uzlabotajos aktīvās matricas displejos, perifērijas shēmas var integrēt tajā pašā substrātā kā pikseļu tranzistori. Nesen polisilīcijs ir izmantots jaunajā mikroelektromehānisko sistēmu (MEMS) jomā, īpaši mikrosensoriem un mikroizpildītājiem. Šajās ierīcēs mehāniskās īpašības, jo īpaši polisilīcija plēves spriegums, ir būtiskas veiksmīgai ierīces izgatavošanai. Tekstam jābūt vērtīgai atsaucei profesionāļiem un tehniķiem, kas strādā ar polikristālisko silīciju integrālo shēmu un displeju nozarēs.