III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications - 9789811099595

Zmienione wydanie tej ważnej książki przedstawia zaktualizowany i rozszerzony zakres diod elektroluminescencyjnych (LED) opartych na heteroepitaksjalnym GaN na podłożach Si i zawiera nowe rozdziały dotyczące diod LED na złączach tunelowych, zielonych/żółtych diod LED i ultrafioletowych diod LED. W ciągu ostatnich dwudziestu lat poczyniono znaczne postępy w technologiach wzrostu, domieszkowania i przetwarzania półprzewodników na bazie azotku III, co doprowadziło do znacznych oczekiwań w stosunku do półprzewodników azotkowych w szerokim zakresie zastosowań. Diody LED są już stosowane w sygnalizacji świetlnej, oświetleniu oznakowań i zastosowaniach motoryzacyjnych, a ostatecznym celem jest globalne zastąpienie tradycyjnych lamp żarowych i fluorescencyjnych, zmniejszając w ten sposób zużycie energii i emisję dwutlenku węgla. Jednakże, aby umożliwić dalsze ulepszenia wymagane przy realizacji oświetlenia półprzewodnikowego na dużą skalę, należy zająć się pewnymi krytycznymi kwestiami, a celem tej książki jest dostarczenie czytelnikom szczegółów niektórych współczesnych problemów, od których w poważnym stopniu zależy działanie diod LED. Co najważniejsze, opisuje, dlaczego musi nastąpić przełom we wzroście wysokiej jakości warstw epitaksjalnych półprzewodników azotkowych o małej gęstości dyslokacji, w szczególności we wzroście półprzewodników na bazie Al i In-GaN. Jakość materiałów jest bezpośrednio zależna od zastosowanych substratów, takich jak szafir i Si, a książka omawia je, a także takie tematy, jak spadek wydajności, wzrost w różnych orientacjach, polaryzacja oraz technologie przetwarzania i pakowania chipów. Książka, stanowiąca przegląd najnowocześniejszej nauki i technologii LED III-Nitride, będzie podstawowym źródłem informacji dla badaczy i inżynierów zajmujących się rozwojem oświetlenia półprzewodnikowego, a także lekturą obowiązkową dla studentów rozpoczynających pracę w tej dziedzinie.