III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications - 9789811099595

Selle olulise raamatu muudetud väljaanne tutvustab Si-substraatide heteroepitaksiaalsel GaN-il põhinevate valgusdioodide (LED) ajakohastatud ja laiendatud katvust ning sisaldab uusi peatükke tunneliühenduse LED-ide, roheliste/kollaste LED-ide ja ultraviolett-LED-de kohta. Viimase kahe aastakümne jooksul on tehtud märkimisväärseid edusamme III-nitriidipõhiste pooljuhtide kasvu-, dopingu- ja töötlemistehnoloogiate vallas, mis on toonud kaasa märkimisväärseid ootusi nitriidpooljuhtidele paljudes rakendustes. Valgusdioodid on juba kasutusel foorides, märgistuste valgustuses ja autotööstuses, mille lõppeesmärk on traditsiooniliste hõõglampide ja luminofoorlampide ülemaailmne asendamine, vähendades seeläbi energiatarbimist ja süsinikdioksiidi heitkoguseid. Siiski tuleb lahendada mõned kriitilised küsimused, et võimaldada tahkisvalgustuse laiaulatuslikuks realiseerimiseks vajalikke täiendavaid täiustusi, ja selle raamatu eesmärk on anda lugejatele üksikasju mõnede tänapäevaste probleemide kohta, millest LED-ide jõudlus tõsiselt sõltub. Kõige tähtsam on see, et see kirjeldab, miks peab toimuma läbimurre madala dislokatsioonitihedusega kvaliteetsete nitriidpooljuhtide epitaksiaalsete kihtide kasvus, eriti Al- ja In-rikaste GaN-põhiste pooljuhtide kasvus. Materjalide kvaliteet sõltub otseselt kasutatavatest alusmaterjalidest, nagu safiir ja Si, ning raamatus käsitletakse nii neid kui ka selliseid teemasid nagu efektiivsuse langus, kasv erinevates suundades, polarisatsioon ning kiipide töötlemise ja pakendamise tehnoloogiad. Raamat pakub ülevaadet III-Nitride LED-teaduse ja -tehnoloogia nüüdisaegsest tasemest. Raamat on põhiline viide pooljuhtvalgustuse arendamisega tegelevatele teadlastele ja inseneridele ning valdkonda alustavatele õpilastele kohustuslik kirjandus.