III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications - 9789811099595

Šīs svarīgās grāmatas pārskatītajā izdevumā ir sniegts atjaunināts un paplašināts gaismas diožu (LED), kuru pamatā ir heteroepitaksiāls GaN uz Si substrātiem, pārklājums, un tajā ir iekļautas jaunas nodaļas par tuneļa savienojuma gaismas diodēm, zaļajām/dzeltenajām gaismas diodēm un ultravioletajām gaismas diodēm. Pēdējo divu desmitgažu laikā ir panākts ievērojams progress III-nitrīda pusvadītāju izaugsmē, dopingā un apstrādes tehnoloģijās, kas rada ievērojamas cerības uz nitrīda pusvadītājiem plašā lietojumu klāstā. Gaismas diodes jau tiek izmantotas luksoforos, zīmju apgaismojumā un automobiļu lietojumos, un galvenais mērķis ir globāli nomainīt tradicionālās kvēlspuldzes un dienasgaismas spuldzes, tādējādi samazinot enerģijas patēriņu un oglekļa dioksīda emisiju. Tomēr ir jārisina daži būtiski jautājumi, lai varētu veikt turpmākus uzlabojumus, kas nepieciešami liela mēroga cietvielu apgaismojuma realizācijai, un šīs grāmatas mērķis ir sniegt lasītājiem informāciju par dažām mūsdienu problēmām, no kurām LED darbība ir nopietni atkarīga. Vissvarīgākais ir tas, ka tajā ir aprakstīts, kāpēc ir nepieciešams izrāviens augstas kvalitātes nitrīdu pusvadītāju epitaksisko slāņu ar zemu dislokāciju blīvumu izaugsmē, jo īpaši Al-bagāto un In-bagāto GaN bāzes pusvadītāju izaugsmē. Materiālu kvalitāte ir tieši atkarīga no izmantotajiem substrātiem, piemēram, safīra un Si, un grāmatā ir aplūkotas gan šīs, gan tādas tēmas kā efektivitātes kritums, izaugsme dažādās orientācijās, polarizācija un skaidu apstrādes un iepakošanas tehnoloģijas. Piedāvājot pārskatu par jaunākajiem III-nitrīda LED zinātnes un tehnoloģijas sasniegumiem, grāmata būs galvenā atsauce pētniekiem un inženieriem, kas ir iesaistīti cietvielu apgaismojuma izstrādē, un obligātā literatūra studentiem, kas uzsāk šo jomu.