Radiation Effects in Semiconductors - 9781439826942

Zastosowania kosmiczne, fizyka jądrowa, operacje wojskowe, obrazowanie medyczne, a zwłaszcza elektronika (nowoczesne przetwarzanie krzemu) to oczywiste dziedziny, w których uszkodzenia radiacyjne mogą mieć poważne konsekwencje, tj. degradację urządzeń i obwodów MOS. Koncentrując się na istotnych aspektach tego szerokiego i złożonego tematu, książka Radiation Effects in Semiconductors odpowiada na stale rosnącą potrzebę jasnego zrozumienia skutków promieniowania na urządzenia i obwody półprzewodnikowe w celu zwalczania potencjalnych uszkodzeń, jakie może ono powodować. Zawiera rozdział, którego autorem jest znany autorytet w dziedzinie promieniowania Lawrence T. Clark, na temat Strategii SRAM wzmocnionych promieniowaniem w celu ograniczenia TID i SEE. Książka ta analizuje problem promieniowania, koncentrując się na najważniejszych aspektach wymaganych do zrozumienia efektów degradujących obserwowanych w urządzeniach półprzewodnikowych, obwodach, i systemy, gdy są one napromieniowane. Bada, w jaki sposób promieniowanie oddziałuje z materiałami stałymi, dostarczając szczegółowej analizy trzech sposobów, w jakie to zachodzi: efektu fotoelektrycznego, efektu Comptona i tworzenia par elektron-pozyton. Autor wyjaśnia, że prawdopodobieństwo wystąpienia tych trzech efektów zależy od energii padającego fotonu i liczby atomowej celu. Książka omawia także wpływ, jaki fotony mogą wywierać na materię – pod względem efektów jonizacyjnych i wypierania jąder. Ta starannie skonstruowana publikacja, napisana z myślą o badaczach podyplomowych, inżynierach półprzewodników oraz inżynierach jądrowych i kosmicznych z pewnym doświadczeniem w elektronice, starannie skonstruowana publikacja wyjaśnia, w jaki sposób promieniowanie jonizujące powoduje uszkodzenia w urządzeniach, obwodach i systemach półprzewodnikowych oraz w jaki sposób można uniknąć tych uszkodzeń w takich obszarach, jak misje wojskowe/kosmiczne, zastosowania nuklearne, uszkodzenia plazmowe i techniki oparte na promieniowaniu rentgenowskim. W jego skład wchodzą najwyższej klasy międzynarodowi eksperci z przemysłu i środowiska akademickiego, którzy zajmują się pojawiającymi się technologiami detektorów, technikami projektowania obwodów, nowymi materiałami i innowacyjnymi podejściami systemowymi.