Radiation Effects in Semiconductors - 9781439826942

Kosmosa lietojumi, kodolfizika, militārās operācijas, medicīniskā attēlveidošana un jo īpaši elektronika (mūsdienīga silīcija apstrāde) ir acīmredzamas jomas, kurās radiācijas bojājumi var radīt nopietnas sekas, ti, MOS ierīču un ķēžu degradāciju. Aplūkojot šīs plašās un sarežģītās tēmas būtiskos aspektus, Radiation Effects in Semiconductors pievēršas arvien pieaugošajai vajadzībai pēc skaidras izpratnes par starojuma ietekmi uz pusvadītāju ierīcēm un ķēdēm, lai cīnītos pret iespējamiem bojājumiem, ko tas var izraisīt. Ietver nodaļu, kuras autors ir slavens radiācijas autors Lorenss T. Klārks par radiāciju, ko izturējis projektēšanas SRAM stratēģijas TID un SEE mazināšanai Šajā grāmatā ir analizēta radiācijas problēma, koncentrējoties uz svarīgākajiem aspektiem, kas nepieciešami, lai izprastu degradējošās sekas, kas novērotas pusvadītāju ierīcēs, ķēdēs, un sistēmas, kad tās ir apstarotas. Tajā tiek pētīts, kā starojums mijiedarbojas ar cietajiem materiāliem, sniedzot detalizētu analīzi par trim veidiem, kā tas notiek: fotoelektriskais efekts, Komptona efekts un elektronu-pozitronu pāru izveide. Autors skaidro, ka šo trīs efektu rašanās varbūtība ir atkarīga no krītošā fotona enerģijas un mērķa atomu skaita. Grāmatā aplūkota arī fotonu ietekme uz vielu — jonizācijas efekta un kodola nobīdes ziņā. Šī rūpīgi izstrādātā atsauce izskaidro, kā jonizējošais starojums ir rakstīts pēcdiploma pētniekiem, pusvadītāju inženieriem un kodolenerģijas un kosmosa inženieriem ar zināmu pieredzi elektronikas jomā. rada bojājumus pusvadītāju ierīcēs un shēmās un sistēmās — un kā no šiem bojājumiem var izvairīties tādās jomās kā militārās/kosmosa misijas, kodoliekārtas, plazmas bojājumi un rentgenstaru metodes. Tajā ir iekļauti augstākās klases starptautiskie nozares un akadēmisko aprindu eksperti, kas pievēršas jaunām detektoru tehnoloģijām, ķēžu projektēšanas metodēm, jauniem materiāliem un novatoriskām sistēmu pieejām.