Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices - 9780792393795

Integraallülituse tehnoloogia kiire areng ja plahvatuslik kasv on avaldanud ühiskonnale sügavat mõju. Integraallülitusi (IC-sid) kasutatakse universaalselt ning IC-tehnoloogia laienev kasutamine nõuab täpsemaid vooluringide analüüsimeetodeid ja tööriistu, mis sunnib arvutite kasutuselevõttu projekteerimisprotsessi. Selle raamatu eesmärk on luua kindel alus arvutipõhiste tehnikate kasutamisele IC-seadmete ja protsesside kujundamisel. Rõhutatakse nii praktilisi kui ka analüütilisi vaatenurki, et anda lugejale vajalik taust CAD-tööriistade hindamiseks ja nende kasutamise mugavaks tundmiseks. See töö esitab diskursuse protsesside ja seadmete CAD-i kui omavahel seotud teemade kohta, tuginedes paljudele SUPREM-programmi kogemustele ja rakendustele. Peatükk 1 keskendub seotud protsessi ja seadme CAD-i motivatsioonile. Peatükis 2 tutvustatakse SUPREM III ja protsessi CAD käsitletakse ioonide istutamise, lisandite difusiooni ja oksüdatsiooni mudelite osas. 3. peatükis tutvustatakse Stanfordi seadmeanalüüsi programmi SEDAN III (SEmiconductor Device ANalysis). Järgmises kolmes peatükis käsitletakse üksikasjalikumalt seadme tööpõhimõtteid ja analüüsitehnikaid. 4. peatükis vaadeldakse pn-siirde teooria klassikalist sõnastust ja kasutatakse seadmeanalüüsi (SEDAN) nii mõningate klassikaliste eelduste hindamiseks kui ka kõrgetasemelise süstimise keerulise probleemi uurimiseks. 5. peatükis pöördutakse tagasi MOS-seadmete juurde, antakse ülevaade esimese järgu MOS-i teooriast ja tutvustatakse mõnda olulist teist järku efekti. 6. peatükis käsitletakse bipolaarset transistorit. 7. peatükis käsitletakse protsessi simulatsiooni ja seadmeanalüüsi rakendamist tehnoloogia kujundamisel. BiCMOS-protsess valitakse kasulikuks disainivahendiks kahel põhjusel. Esiteks võimaldab see lugejal koondada kontseptsioone kogu raamatust ja teiseks pakub BiCMOS-tehnoloogia olemus tõelisi piiranguid ja seega ka kompromisse, mida tuleb mõista ja arvesse võtta.