Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices - 9781461364085

129 3.6 Harjutused 130 3.7 Kasutatud kirjandus. 131 4 PN-ristmikud 131 4.1 Sissejuhatus. 132 4.2 Kandja tihedused: tasakaalujuhtum 4.3 mittetasakaaluline .......... . 139 4.4 Vedaja transport ja konserveerimine 144 4.5 Pn-ristmik – tasakaalutingimused. 147 155 4.6 Pn-ristmik – mittetasakaaluline. 4.7 SEDANi analüüs . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Tugev dopinguefekt ..... . 176 4.7.2 Kõrgetasemelise süstimise analüüs 181 190 4.7.3 Tehnoloogiast sõltuvad seadmeefektid 4.8 Kokkuvõte 193 4.9 Harjutused 193 194 4.10 Viited. 5 MOS-struktuurid 197 5.1 Sissejuhatus ............. 197 5.2 MOS-kondensaator ........ . 198 5.3 MOSFET IV põhiomadused. 208 5.4 Ebaühtlase substraadi lävipinge 217 5.5 MOS-seadme projekteerimine simulatsiooni teel . . . . . 224 5.5.1 Lävipinge keha kallutatuse tundlikkus 225 5.5.2 Kahe piirkonna mudel . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFETi projekteerimine simulatsiooni teel. 234 5.6 Kokkuvõte 240 5.7 Harjutused 240 5.8 Kasutatud kirjandus. 242 6 Bipolaarsed transistorid 243 6.1 Sissejuhatus ... 243 6.2 Külgmised pnp-transistori tööd 245 6.3 Transpordivoolu analüüs ... 252 6.4 Üldistatud laengusalvestusmudel 260 6.,1) Transistori ekvivalentahelad. 267 6.5.1 Laadimisjuhtimismudel ...