Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices - 9781461364085

129 3.6. Uzdevumi 130 3.7 Literatūra. 131 4 PN krustojumi 131 4.1 Ievads. 132 4.2. Nesēja blīvumi: līdzsvara gadījums 4.3. Nelīdzsvars .......... . 139 4.4. Pārvadātāju transportēšana un saglabāšana 144 4.5. Pn krustojums — līdzsvara apstākļi. 147 155 4.6. pn krustojums — nelīdzsvarots. 4.7 SEDĀNA analīze . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Smagas dopinga iedarbības ..... . 176 4.7.2. Augsta līmeņa injekcijas analīze 181 190 4.7.3. No tehnoloģijām atkarīgi ierīces efekti 4.8. Kopsavilkums 193 4.9. Uzdevumi 193 194 4.10. Atsauces. 5 MOS struktūras 197 5.1 Ievads ............. . 197 5.2 MOS kondensators ........ . 198 5.3 MOSFET IV pamata raksturlielumi. 208 5.4. Sliekšņa spriegums neviendabīgā substrātā 217 5.5. MOS ierīces projektēšana pēc simulācijas . . . . . 224 5.5.1. Sliekšņa sprieguma jutība pret ķermeņa novirzi 225 5.5.2. Divu reģionu modelis . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET projektēšana pēc simulācijas. 234 5.6 Kopsavilkums 240 5.7 Uzdevumi 240 5.8 Literatūra. 242 6 Bipolāri tranzistori 243 6.1 Ievads ... 243 6.2 Sānu pnp tranzistora darbība 245 6.3 Transporta strāvas analīze ... 252 6.4 Vispārējās uzlādes uzglabāšanas modelis 260 6.,1) Tranzistoru ekvivalentās shēmas. 267 6.5.1. Uzlādes vadības modelis...