Photoemission from Optoelectronic Materials and their Nanostr... - 9781461417187

ostatnich latach, wraz z pojawieniem się metod litografii cienkoliniowej, epitaksji z wiązek molekularnych, epitaksji z fazy gazowej metaloorganicznej i innych technik eksperymentalnych, struktury niskowymiarowe posiadające ograniczenia kwantowe w jednym, dwóch i trzech wymiarach (takie jak ultracienkie warstwy, warstwy inwersyjne, warstwy akumulacyjne) , supersieci studni kwantowych, druty studni kwantowych, supersieci drutów kwantowych, kwantyzacje wielkości magnetycznych i kropki kwantowe) przyciągają wiele uwagi nie tylko ze względu na ich potencjał w odkrywaniu nowych zjawisk w nanonauce i technologii, ale także ze względu na ich interesujące zastosowania w obszarach urządzenia wykorzystujące efekt kwantowy. W ultracienkich warstwach ograniczenie ruchu nośników w kierunku normalnym do folii prowadzi do efektu wielkości kwantowej i takie układy znajdują szerokie zastosowanie w laserach ze studnią kwantową, tranzystorach polowych, szybkich sieciach cyfrowych, a także w innych zjawiskach kwantowych urządzenia. W drutach studni kwantowej nośniki są kwantowane w dwóch kierunkach poprzecznych i dozwolony jest tylko jednowymiarowy ruch nośników.