Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Met... - 9781633214996

Tranzystory MOSFET (tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik) od dawna stanowią podstawę współczesnego przemysłu elektronicznego. W celu trwałego usprawnienia integracji rozmiar MOSFET-a zmniejsza się wykładniczo od dziesięcioleci, zgodnie z prawem Moore'a, ale obecnie, z powodu wewnętrznych ograniczeń, dalsze skalowanie urządzeń MOSFET albo napotyka fundamentalne trudności (np. mechanika kwantowa) ograniczenia lub wymagania dotyczące coraz bardziej wyrafinowanych i kosztownych rozwiązań inżynieryjnych. Obecnie opracowywane są alternatywne podejścia i koncepcje urządzeń, zarówno w celu utrzymania wzrostu stopnia integracji, jak i poprawy funkcjonalności i wydajności urządzeń elektronicznych. Elektronika tlenkowa jest jednym z takich obiecujących podejść, które może umożliwić i przyspieszyć rozwój technologii informatycznych i obliczeniowych. Zachowanie d-elektronów w tlenkach metali przejściowych (TMO) odpowiada za unikalne właściwości tych materiałów, powodując silne korelacje elektron-elektron, które odgrywają ważną rolę w mechanizmie przejścia metal-izolator. Przejście Motta w dwutlenku wanadu jest efektem, który badacze uważają za jedno z najbardziej obiecujących zjawisk w elektronice tlenkowej, szczególnie w jego specjalnym kierunku, znanym jako tranzystor polowy z przejściem Motta (MTFET).